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标题:东芝半导体TLP293:TOSHIBA GB-TPL, E光耦OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO的技术和方案应用介绍 东芝半导体TLP293是一款高性能的光耦合器,它集成了GB-TPL, E光耦OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO的技术和方案,为各种应用提供了可靠的解决方案。 一、技术特点 TLP293采用东芝独特的GB-TPL技术,实现了高速度、低噪声和高精度的光电转换。同时,它还具有出色的抗干扰性能,能够有效地抑制电磁干扰(EMI),
标题:Toshiba东芝半导体TLP183(TPL,E光耦OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD的技术和方案应用介绍 Toshiba东芝半导体TLP183是一款高效、低功耗、高速的光耦合器,它采用Toshiba独特的TPL,E技术,具有优良的电气性能和可靠性。这款光耦具有3.75KV的隔离电压,适用于各种高电压、高电流的应用场景。 一、技术特点 TLP183采用了东芝半导体独特的TPL,E技术,这种技术使得光耦具有更高的传输速率和更低的功耗。此外,它还具有优良的电气性
标题:东芝半导体TLP293(GR-TPL,E光耦OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO)的技术和方案应用介绍 一、引言 东芝半导体TLP293是一款高性能的光耦OPTOISolator,它结合了光电耦合和隔离技术,为工业应用提供了高可靠性、低噪声、低功耗和长寿命的解决方案。本文将详细介绍TLP293的技术特点和方案应用。 二、技术特点 1. 高性能:TLP293采用高速光耦合技术,实现了高速度的信号传输,同时保持了电气隔离,有效防止了电磁干扰。 2. 高可靠性:TLP2
Toshiba品牌DF2S5M4CT L3F静电保护ESD芯片TVS Diode技术与应用介绍 Toshiba品牌DF2S5M4CT L3F静电保护ESD芯片TVS Diode是一种高性能的静电保护器件,具有3.6VWM的工作电压和15V的箝位电压,适用于各种电子设备的静电保护。 该芯片采用L3F静电保护技术,具有出色的抗静电性能和快速响应速度。在静电保护方面,L3F技术通过将TVS二极管与半导体保护电路相结合,能够在瞬间吸收大量的静电能量,从而有效地保护电子设备免受静电放电(ESD)的损害。
标题:Toshiba东芝半导体TLP291-4(V4GBTPE光耦OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16SO的技术和方案应用介绍 随着科技的发展,半导体技术已经成为现代社会不可或缺的一部分。其中,光耦技术作为一种常见的隔离技术,广泛应用于各种电子设备中,以实现电气隔离和光学耦合。Toshiba东芝半导体公司便是这一领域的佼佼者,其TLP291-4(V4GBTPE光耦OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16SO便是其杰出产品之一。 TLP291-4(V4GB
标题:Renesas瑞萨电子与TOSHIBA东芝半导体:一家公司,两种力量 Renesas瑞萨电子和TOSHIBA东芝半导体,这两个半导体行业的巨头,虽分属不同的公司,但他们之间的关系却如同孪生兄弟般紧密。他们在产品研发、供应链管理、市场营销等诸多方面相互影响,共同塑造了半导体产业的格局。 首先,两家公司都以强大的研发能力为业界所称道。他们不仅在传统芯片设计上有着深厚的积累,也在新兴技术如人工智能、物联网、自动驾驶等领域持续投入,力求在技术创新中抢占先机。他们的研发团队密切合作,共享资源,共同
TPD2015FN,L1F(S 图像仅供参考 请参阅产品规格 编号: 757-TPD2015FNL1FS 制造商编号: TPD2015FN,L1F(S 制造商: Toshiba Toshiba 客户编号: 说明: 电源开关 IC - 配电 INTELLIGENT PWR SWITCH, 8ch High-SIDE, 8-40V, Pd 1.8W, RDS(ON) 0.4Ohm, IOC 1.0A(Min) 寿命周期: 新产品: 此制造商的新产品。 数据表: TPD2015FN,L1F(S 数据
TC74HC4066AF-ELF 图像仅供参考 请参阅产品规格 编号: 757-TC74HC4066AF-ELF 制造商编号: TC74HC4066AF-ELF 制造商: Toshiba Toshiba 客户编号: 说明: 模拟开关 IC CMOS Logic IC 7ns 2.0 to 12V 数据表: TC74HC4066AF-ELF 数据表 (PDF) ECAD模型: 下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。 更多信息 了解Toshiba TC74HC406
2SK3075(TE12L,Q) 图像仅供参考 请参阅产品规格 编号: 757-2SK3075TE12LQ 制造商编号: 2SK3075(TE12L,Q) 制造商: Toshiba Toshiba 客户编号: 说明: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS 数据表: 2SK3075(TE12L,Q) 数据表 (PDF) ECAD模型: 下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。 对比产品

Toshiba TCK112G,LF

2024-01-05
TCK112G,LF 图像仅供参考 请参阅产品规格 编号: 757-TCK112GLF 制造商编号: TCK112G,LF 制造商: Toshiba Toshiba 客户编号: 说明: 电源开关 IC - 配电 ABS-WCSP,PRE-ACTIVE 数据表: TCK112G,LF 数据表 (PDF) ECAD模型: 下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。 更多信息 了解Toshiba TCK112G,LF详情 对比产品 查看对比 (0) 对比产品 添加至项目