过压 相关话题

ISL6140自身只能接受最大100V的额定电压，即便是短暂的过压也将会形成芯片的永世性损伤，并且还会影响到其他的元器件。为了维护芯片，能够在芯片的VDD与VEE之间加上一个突波吸收器（如DIODE公司的SMAT70A，吸收功率400W，最大击穿电压89V，最小击穿电压70V，反向最大脉冲电流3.5A）。突波吸收器的选择根据是电源正常的输人电压变动范围、估计需吸收功率的大小，以及最大的反向脉冲电流等。 关注电子行业精彩资讯，关注亿配芯城官方微信，精华内容抢鲜读。 关注方法：添加好友搜索亿配芯Y

设计具有鲁棒性的电子电路较为困难，通常会导致具有大量分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。本文将讨论故障保护开关架构，及其与传统分立保护解决方案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架构，以及提供业界先进的故障保护性能以及精密信号链所需性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器新型产品系列(ADG52xxF和ADG54xxF)就是采用这种技术。 高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。通常，需要在模拟性能(例如漏电阻和导通电阻)和保护水平(可由

对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。 静电 由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。 然而，在插人插座时，CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路，栅极上的电荷

1、前言 伴随着电子信息技术的发展趋势，集成电路工艺的处理速度持续提升。作用愈来愈健全的微处理器除开片内务必具备的CPU、ROM、RAM、定时执行电子计数器、中断系统外，还拓展到A/D、D/A、DMA控制板、锁相环、空格符产生器、正弦波形产生器等。 针对NMOS加工工艺的微处理器工作中电压一般为4.～5.9V，选用CMOS加工工艺的微处理器工作中电压范畴拓展至3～6V。 在以微处理器（MPU）或单片机设计（MCU）为基本的系统软件中，一般规定在开关电源电压高过某一标准值时，便会全自动造成一个操

过压器件属于电路保护器件，其目的是为了保护过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏，下面中国电子网为大家带来一些过压器件。 1.压敏电阻 压敏电阻也是最常用的限压设备。利用敏感电阻的非线性特性，当过电压出现在敏感电阻的两极之间时，敏感电阻可以将电压钳位于相对固定的电压值，实现后级电路的保护。 压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管慢一点，一般用于电子电路的过电压保护其响应速度可满足要求。压敏电阻的结电容量一般在数百到数千pF的数量范围内，往往不应直接应用于高频信号线的保护，应用于交