兆易创新：NOR、NAND、DRAM三剑齐发
2024-08-05近日，在2019中国闪存峰会期间，兆易创新代理总经理何卫表示，悲观对待公司第三季度的生长，目先兆易确实感遭到NOR Flash需求的上升，以至呈现产能慌张的状况。我们看到，近年来，兆易创新构成了MCU+存储+传感器的产品线生态，特别存储的规划曾经从NOR Flash、NAND Flash逐步延伸至DRAM。何卫以为这是面对终端应用需求的必然。 NOR Flash接单旺盛 NOR Flash做为通用型器件应用普遍，兆易创新重点专注6大应用范畴，产种类类多样，例如宽电压、低功耗、高性能、大容量以及
标题：ISSI品牌IS42S32160F-6BLI芯片IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA的技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，半导体行业也日益繁荣。其中，ISSI公司以其卓越的技术实力和精准的市场定位，为全球用户提供了众多优秀的产品。今天，我们将详细介绍ISSI品牌IS42S32160F-6BLI芯片IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA的技术与应用。 一、技术概述 IS42S32160F-6BLI是一款高速同步DRAM芯片，采用90TFBGA封装。其主要特
标题：ISSI品牌IS42S32160F-7TLI芯片IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II的技术与方案应用详解 一、简介 ISSI（International Semiconductor Solution）是一家全球知名的半导体公司，致力于为电子设备提供高性能的存储解决方案。IS42S32160F-7TLI芯片IC是ISSI公司的一款高性能DDR SDRAM芯片，具有512MBIT的存储容量和86TSOP II封装形式。本文将详细介绍IS42S32160F-7TLI芯片I
内存芯片商突破DRAM技术挑战 三大主力军抢进1z nm制成
2024-07-24在当前内存市场需求疲软的环境下，三星、美光和SK海力士相继发布1z nm内存芯片，抢进高端内存市场。并方案下半年开端量产，并于2020年在新一代效劳器、高端PC及智能手机等应用发力。 三星1znm 8Gb DDR4消费率进步20%以上，下半年量产 据笔者此前得悉，在今年3月，三星开端大范围量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后，三星又宣布初次开发出第三代10nm级1z nm 8Gb双倍数据速率的DDR4。 这是三星自2017年底批量消费第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来
中国DRAM产业即将崛起 突围全球寡占势力
2024-07-24全球动态随机存取存储器行业已经被淘汰并相互竞争。自美光完成埃尔比达合并以来，已经建立了由三星电子、SK Hynix和美光主导的稳定的寡头垄断市场形式。尽管动态随机存取存储器市场繁荣在2018年8月达到顶峰，但市场价格持续下跌，直到2019年第三季度，估计累计跌幅超过60%，产业秩序相对稳定，只是从大利润到小利润的差异。然而，在未来5-10年内，动态随机存取存储器行业的稳固的权力格局很可能面临结构性变化。原有三大工厂的寡头垄断地位将面临新进入者突破的压力。最大的潜在威胁来自紫光集团，该集团最近宣
标题：ISSI品牌IS42S16320F-7TL芯片IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II的技术与方案应用 随着科技的飞速发展，存储技术也在不断进步。ISSI公司作为存储芯片领域的佼佼者，其IS42S16320F-7TL芯片IC以其独特的性能和出色的品质，受到了广大用户的青睐。本文将围绕ISSI IS42S16320F-7TL芯片IC的技术与方案应用展开，让我们一起深入了解这款DRAM芯片。 一、技术解析 ISSI IS42S16320F-7TL是一款高速DDR SDRAM
标题：ISSI品牌IS43TR16256BL-107MBLI芯片IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA技术与应用方案 随着科技的飞速发展，存储芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。ISSI公司作为一家全球知名的存储芯片设计公司，其IS43TR16256BL-107MBLI芯片IC以其卓越的性能和稳定性，广泛应用于各种电子产品中。本文将详细介绍ISSI IS43TR16256BL-107MBLI芯片IC的特点、技术、应用方案以及未来发展趋势。 一、技术特点 ISSI IS43
标题：Alliance品牌AS4C256M16D3C-12BIN芯片IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA的技术与方案应用 随着科技的飞速发展，电子设备对存储容量的需求日益增长。Alliance品牌AS4C256M16D3C-12BIN芯片IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA作为一种高性能的DRAM芯片，在各类电子产品中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍AS4C256M16D3C-12BIN芯片的技术特点、方案应用以及未来发展趋势。 一、技术特点 A
标题：ISSI品牌IS43QR16256B-083RBL芯片IC DRAM 4GBIT 1.2GHZ 96BGA的技术与应用 随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个信息爆炸的时代，数据存储和处理能力的重要性不言而喻。在这个领域，ISSI公司推出的IS43QR16256B-083RBL芯片IC DRAM 4GBIT 1.2GHZ 96BGA，以其卓越的性能和稳定性，成为了业界的明星产品。 一、技术特点 ISSI IS43QR16256B-083RBL芯片IC