如何利用二极管电路实现双线圈锁存继电器？
2024-09-28继电器是电路中常见的机电器件，有两种类型：锁存或非锁存。锁存继电器即使在完全断电后仍会保持其最后的开关位置，无论单线圈还是双线圈类型都可以。单线圈锁存继电器仅使用一个线圈来设置或复位开关位置，但需要正负电压。当施加正电压时，电流沿一个方向流动并让继电器进入设定状态（即继电器开关闭合）。若施加负电压，则反转电流方向，使继电器进入复位状态（即开关打开）。 而双线圈锁存继电器仅使用正电压，但需要两个电源或驱动器。这种继电器有一个设定线圈和一个复位线圈。当设定线圈通电时，继电器进入设定状态。相反，当复
将二次侧二极管整流改为同步整流方式来改善效率的应用设计
2024-09-28上图为输出电流（Iout）整个范围的效率。橙色曲线是替换前的二极管整流方式的效率。蓝色和红色为替换为同步整流方式后的效率，蓝色为低边型，红色为高边型。由于两者的效率几乎同等，所以高边型的红色曲线隐藏在低边型的蓝色曲线后面。从图中还可以看出橙色的二极管整流方式的效率较差，右侧是将纵轴放大后的图。 结果表明，在 负载10A条件下，替换前的二次侧二极管整流方式的效率为77.3%，替换后为81.3%（低边）和81.6%（高边），效率提高了4%。 该效率差主要是二次侧整流二极管和替换后的MOSFET的损
Panjit强茂MBR1060CT-T0-00001二极管是一款具有独特特性的整流二极管。它采用SCHOTTKY技术，具有60V的额定电压和10A的额定电流，适用于各种电子设备中。TO220AB的封装形式使得它具有较高的热传导效率，从而提高了其工作稳定性和可靠性。 首先，我们来了解一下二极管的原理和特性。二极管是一种具有单向导电特性的电子元件，它可以实现电气隔离或整流等功能。因此，二极管在各种电子设备中扮演着重要的角色。Panjit强茂MBR1060CT-T0-00001二极管正是基于这一原理
肖特基二极管的反向恢复过程解析
2024-09-27肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。 （Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。 不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。 肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。 另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。 所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。 二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过
标题：Panjit强茂SB2045FCT-T0-00001二极管DIODE ARR SCHOT技术及其应用方案介绍 Panjit强茂SB2045FCT-T0-00001二极管是一款具有SCHOT特性的DIODE器件，其技术特点和方案应用值得深入探讨。 首先，我们来了解一下SCHOT技术。SCHOT技术是一种基于隧道二极管的非线性电子器件技术，具有高反向电压、低正向电流和快速响应等特点。它能在瞬间改变电流方向，从而有效地保护电路免受浪涌电流和电压的冲击。这种技术广泛应用于各种电子设备中，如电源保
Panjit强茂SB2045CT-T0-00001二极管是一款高性能的半导体器件，其采用SCHOTTky电介质层二极管技术，具有45V和20A的额定电压和电流。该二极管具有TO220AB的封装形式，适用于各种电子设备和系统。 首先，我们来了解一下SCHOTTKY电介质层二极管技术。这种技术利用了金属和半导体之间的电介质层，通过控制电介质层的厚度和材料，可以实现不同的性能指标。在Panjit强茂SB2045CT-T0-00001二极管中，电介质层被用来承受更高的电压，而半导体材料则用来控制电流的
Panjit强茂SB2040CT-T0-00001二极管是一款高性能的半导体器件，其技术特点和方案应用在许多电子设备中发挥着重要的作用。本文将详细介绍这款二极管的技术和方案应用。 首先，让我们了解一下Panjit强茂SB2040CT-T0-00001二极管的基本技术参数。它是一款肖特基二极管，采用TO220AB封装，工作电压为40V，最大电流为20A。这种二极管的优点在于其低功耗、高效率、快速响应和可靠性高等。它通常用于各种电子设备的开关电路中，以实现快速导通和降低功耗。 在方案应用方面，Pa
Panjit强茂的UF1002FCT-T0-00001二极管是一款非常出色的DIODE ARRAY GP，其特点在于高稳定性、低损耗以及长寿命，适用于各种电子设备中。这款二极管的型号为UF1002FCT-T0-00001，其代表的含义为： * UF表示的是二极管类型为DIODE ARRAY GP； * 10A表示的是二极管的额定电流为10A； * 200V表示的是二极管的额定电压为200V； * T表示的是二极管的封装形式； * O表示的是二极管的反向恢复时间； * 数字部分表示的是生产批次。
二极管串联/并联防反接原理
2024-09-23二极管防止电源反接，比MOS管成本低，也更简单一些，但是也有局限性，一种方式是与电路串联，一种与电路并联。 串联防反接原理 V1正接时，D1导通，假设D1的导通压降为，则加在负载上的电压为，这个电路缺点就是会有损耗，损耗功率是，对输出电压有要求的需要考虑D1的导通压降的大小，大电流的电路需要考虑D1的输出电流值，所以一般用在高压的场合； 当电源V1反接时，利用二极管的反向截止特性，阻碍了电流流动，无法与负载R1形成一个回路，保护了负载。 二极管串联防反接电路 并联防反接原理 V2正接时，D2处
采用额外的肖特基二极管减少干扰
2024-09-23在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。 但是，与异步开关稳压器相比，同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通，即使时间很短，也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此，出于安全考虑，需要在一定时间内