1月11日，日本半导体大厂瑞萨电子和氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm宣布双方已达成最终协议，根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元（当前约为24.08亿人民币）。

该交易预计将于2024年下半年完成，具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。

公告称，此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术，从而将其业务范围扩大到电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电力转换等快速增长的市场。

瑞萨现在计划通过整合Transphorm在GaN方面的专业知识，进一步扩大其WBG产品组合，GaN是一种新兴材料，可以实现更高的开关频率、更低的功率损失和更小的尺寸。这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小更轻的组成以及更低的总体成本。

瑞萨首席执行官Hidetoshi Shibata表示：“Transphorm公司是一家由在GaN功率领域经验丰富的团队领导的独特公司， 亿配芯城 其源于加利福尼亚大学圣巴巴拉分校，” “引入Transphorm的GaN技术将在我们在IGBT和SiC方面的势头上构建，它将作为增长的关键支柱，推动和扩展我们的电源产品组合，为客户提供选择最佳电源解决方案的完整能力。”

Transphorm的联合创始人、总裁兼首席执行官Dr. Primit Parikh和联合创始人兼首席技术官Dr. Umesh Mishra表示：“结合瑞萨的全球影响力、丰富的解决方案和客户关系，我们很高兴为全行业采用WBG材料铺平道路，并为显著增长创造条件。此次交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展的服务，并为我们的股东提供显著的即时现金价值，” “此外，它将为我们卓越的团队提供一个强大的平台，进一步推动Transphorm的领先GaN技术和产品。”

审核编辑：黄飞

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