随着AI人工智能技术的飞速发展，HBM高性能存储技术已成为行业关键。在此背景下，全球储存半导体领域的两大巨头SK海力士和三星电子纷纷加大赌注，押注于新一代人工智能存储技术HBM（High-Bandwidth Memory）。

2月29日SK海力士宣布，任命在先进封装开发领域有着杰出贡献的孙晧荣为公司新任副社长。孙晧荣在HBM技术的研发过程中，特别是在硅通孔技术（TSV）和批量回流模制底部填充（MR-MUF）技术的引进和开发中，起到了关键作用。他的任命不仅体现了SK海力士对人工智能存储技术的重视，也预示着公司将继续在这一领域加大投入，巩固其市场领导地位。

与此同时，美国存储器大厂美光也在今年的世界移动通讯大会（MWC）上展示了其最新的UFS 4.0及HBM3E产品。美光副总裁暨行动事业群总经理蒙提斯在接受采访时表示， 亿配芯城 2024年对于存储器产业来说将是一个重要的转折点，美光将凭借新产品迎接新的市场机遇，对未来的营运表现充满期待。

韩国另一半导体巨头三星电子也不甘示弱，公司成功发布了首款12层堆叠的HBM3E DRAM——HBM3E 12H。这款产品的带宽高达1280GB/s，容量达到36GB，相比其8层堆叠的HBM3 8H，性能提升了超过50%。这一创新展示了三星在高性能存储技术领域的深厚实力和不懈追求。

随着AI技术的广泛应用，高性能存储器的需求日益增长。SK海力士、三星和美光等半导体巨头纷纷加大在HBM技术上的投入和研发，不仅体现了他们对市场趋势的敏锐洞察，也预示着HBM芯片市场将迎来更加激烈的竞争和广阔的发展前景。

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