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博通推出已获硅认证(silicon-proven)的7纳米IP核，将以特殊应用芯片(ASIC)抢攻当红的人工智能(AI)、5G及高宽带网络等市场。 博通为客户打造的7纳米ASIC去年底完成设计定案，博通也说明将把7纳米ASIC晶圆代工及CoWoS封装订单交由台积电负责。 台积电7nm制程领先同业，继业界传出苹果新一代A12应用处理器、AMD新一代Vega绘图芯片、高通新一代Snapdragon手机芯片等，均将采用台积电7nm制程投片外， 博通也确定将采用台积电7纳米制程打造ASIC平台，抢进需

为了打造尺寸日益缩小的芯片，所需的复杂度与成本越来越高，但却导致收益递减。日前于新思科技(Synopsys)用户大会(SNUG)的一场座谈会上，高通公司(Qualcomm)的一位工程师指出，行动处理器的资料速率将在3GHz达到峰值，而功耗和面积增益则从7nm开始缩减。   高通设计技术团队资深工程总监Paul Penzes指出，由于金属导线中存在电阻性，使得10nm时速度提升的16%到了7nm时耗尽。此外，从10nm进展到7nm，功耗节省的幅度将从30%缩减到10-25%，面积微缩的

三星电子先前发布，到2020年开发3纳米Foundry制程。据分析称3纳米Foundry制程芯片设计费用将高达15亿美金。虽芯片设计费用的增长倍数极高，但据专家分析称其电流效率和性能提升幅度并没有与费用成正比，而且考虑到高额的费用，能设计3纳米工程的企业屈指可数。 7月17日半导体市调机构International Business Strategy（IBS）分析称3纳米芯片工程的芯片设计费用将高达4亿至15亿美金。IBS说明，在设计复杂度相对较高的GPU等芯片设计费用最高。该公司资料显示28

近期市场传出手机芯片大厂高通（Qualcomm）将在年底前推出新一代高阶Snapdragon手机移动平台的消息，高通昨日证实此事。高通旗下子公司高通技术公司宣布，其即将推出的旗舰移动平台将采用7纳米制程节点的系统单芯片（SoC）。外界预期，高通即将推出新平台应是Snapdragon 855平台，采用台积电7纳米制程投片。 高通表示，此款7纳米系统单芯片可搭配高通Snapdragon X50 5G调制解调器，此产品预计将成为针对顶级智能型手机及其他移动装置而打造、首款支持5G功能移动平台。高通技

Rosenblatt Securities 证券机构的分析师 Mosesmann 在 8 月底的一份报告中表示，处理器大厂英特尔在半导体制程上的瓶颈不只是 10 纳米节点的延期，而且需要许多时间来解决这个问题，因为这将造成英特尔制程劣势持续五年、六年、甚至七年时间。此外，美国财经网站 CNBC 也引用金融公司 Raymond James 分析师 Chris Caso 的报告指出，目前英特尔落后的情况，将可能因此永远追不上对手。Chris Caso 在报告中表示，英特尔目前最大的问题就是 10